用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质  

Crowth and Optical Properties of Quantum Wells andQuantum Wires by MOCVD on Nonplanar Substrates

作　　者：钱毅[1] 郑婉华[1] 郑联喜[1] 张霞[1] 胡雄伟[1] 陈良惠[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所,北京国家光电子工艺中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》1994年第4期289-294,T001,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同的选择性．这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利．用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱以及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究．结果不仅证明了ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＡｓ和Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的独特选择性，也证明了在Ｖ字形沟槽底形成了量子线．Abstract Here reports the different epitaxial selectivity of GaAs and Al(0.4)Ga(0.6)Asgrown by MOCVD on(100)and(111)plane at substrate temperature of 650℃.Such substrate temperature of 650℃ is lower than that veported previously,and ismore benifit for fabricating GaAs/AlGaAs quantum wells(QWs)epitaxial layers ofoptoelectronic devices.With this approach,GaAs/Al(0.4)Ga(0.6)As QWs are grown onGaAs nonplanar substrates.Measurements of transimission electron micrograph,lowtemperature photoluminescence and photo-reflectivity excited by polarized light areapplied to study the samples.The result not only demonstrates the unique epitaxialselectivity of GaAs and Al(0.4)Ga(0.6)As grown by MOCVD at 650℃,and also shows formation of quantum wires at the bottoms of V-grooves on the nonplanar substrates.

关 键 词：半导体材料 MOCVD 量子阱 外延生长 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]