双平面掺杂AlGaAs／InGaAs功率PHEMT  

Double-planar-doped AlGaAs/InGaAs Power PHEMT

作　　者：陈效建[1] 刘军[1] 李拂晓[1] 郑雪帆[1] 华培忠[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1994年第3期289-290,共2页Research & Progress of SSE

摘　　要：双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ...

关 键 词：异质结器件 掺杂 镓铅砷 PHEMT 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]