α-Si TFT的C-V特性研究  

Study of C-V Characteristics for a-Si TFT

作　　者：屈惠明[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《光电子技术》1994年第2期132-137,共6页Optoelectronic Technology

摘　　要：通过对 a-Si TFT 的基本工作特性的分析,提出了一种直观的 a-SiTFT 器件模型。基于此模型,采用一种新的方法对 a-Si TFT 的 C-V 特性进行了全面分析。模拟结果与实际测得 a-Si TFT 的 C-V 特性曲线变化趋势一致。The basic features of-Si TFT are analyzed.A visualized model of-Si TFT is presented.Based on this model,a novel analytical method is used to discuss the- Si TFT's C-V characteristics.The simulation results of C-V characteristics well agreed with the measurement results by M.Shur,et al.

关 键 词：TFT模型 C-V特性 TFT-LCD 

分 类 号：TN873.93[电子电信—信息与通信工程]