硅中氧的热沉淀(上)  被引量:1

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作  者:陈畅生[1] 熊传铭[1] 

机构地区:[1]武汉大学

出  处:《稀有金属》1989年第4期349-357,共9页Chinese Journal of Rare Metals

摘  要:本文综述近年来国内外在硅单晶中氧杂质的热沉淀行为方面的研究工作。着重介绍了在不同的热处理条件下,氧在硅单晶中产生的各种热沉淀现象和性质,以及解释这些热行为的氧沉淀理论。最后讨论了硅中氧的各种热沉淀对硅材料及器件性能的影响,并展望了今后在这一领域尚需解决的问题。

关 键 词:  沉淀 硅单晶 热处理 

分 类 号:TN304.12[电子电信—物理电子学]

 

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