陈畅生

作品数：10被引量：37H指数：3
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供职机构：武汉大学更多>>
发文主题：光敏器件硅光电探测器硅中氧金属杂质更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《稀有金属》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：湖北省科委基金国家自然科学基金更多>>
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注入光敏器件是一种新型的光电探测器被引量：7
《固体电子学研究与进展》1995年第4期356-364,共9页何民才 黄启俊 龙理 陈畅生 
注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良...
关键词：光电探测器 注入光敏器件 光敏器件 
注入光敏三极管的基本特性和分析被引量：5
《Journal of Semiconductors》1994年第9期631-638,共8页何民才 黄启俊 陈炳若 龙理 陈畅生 戴锋 池桂梅 
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．
关键词：光敏三极管 注入 光敏器件 特性 
p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第1期43-47,共5页陈畅生 曾繁清 曾瑞 陈炳若 龙理 何民才 张锦心 李立本 
国家教委年轻教师基金
本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和...
关键词：单晶制备 含氮CZ-Si 退火 
内调制光敏管物理特性的进一步研究
《武汉大学学报（自然科学版）》1992年第2期55-60,共6页何民才 龙理 黄启俊 陈炳若 陈畅生 
国家自然科学基金; 机电部电科院资助课题
本文详细地分析了一种新型光电探测器——内调制光敏管的物理特性,考虑了表面态和通道空穴准费米势分布的影响。导出了通道内空穴浓度和空穴准费米势沿通道的分布,和耦合系数与栅压的关系,它们与实验结果符台得较好。
关键词：光电探测器 光敏器件 内调制光敏管 
硅中吸除技术的物理机制被引量：10
《Journal of Semiconductors》1992年第3期174-180,共7页陈畅生 
本文探讨了吸除过程中,各种不同的吸除技术在硅片的底面或内部产生的吸除源凝聚金属杂质的阱作用和发射自隙原子的源作用,以及代位金属原子在含有吸除源的硅中的扩散行为.导出了表征硅中吸除源吸除金属杂质机制的吸除方程组,并用之具体...
关键词：硅片 吸除技术 物理机制 金属杂质 
间接耦合光电探测结构的光致负阻特性被引量：17
《Journal of Semiconductors》1991年第10期637-640,共4页何民才 钟哲 陈炳若 黄启俊 陈畅生 龙理 杨恢东 蔡本兰 
湖北省科委基金
本文报道了间接耦合光电探测结构所产生的光致负阻现象及初步实验结果.
关键词：光电探测结构 光致负阻 间接耦合 
硅中氧的结构组态及热扩散行为
《Journal of Semiconductors》1991年第8期469-476,共8页陈畅生 曾繁清 熊传铭 沈学础 
中国科学院上海技术物理所红外物理实验室开放基金;武汉大学测试基金
利用变温FTIR测量和变温Hall效应测量方法,探讨了在室温(RT)至475℃温度范围内,硅中9μm峰的中心位置及其红外吸收系数随温度变化的规律.实验证实了氧在硅单晶中存在二种不同的组态:在RT—325℃范围内为Si_2O组态,其束缚能为E_b～0.8—1...
关键词：硅中氧 结构 热扩散 
吸除方程组的变换变量法求解
《武汉大学学报（自然科学版）》1991年第1期29-34,共6页陈畅生 
利用变换变量法,我们得到了在只考虑吸除源对金属杂质的凝聚阱作用时,描述金属杂质原子在硅单晶内被吸除的动力学过程的吸除方程组的解析解,并具体用之讨论硅底面的不同吸除源对金杂质的吸除特性。理论结果完满地解释了机械损伤吸除的...
关键词：吸除方程组 硅 单晶 金属杂质 
硅中氧的热沉淀(下)
《稀有金属》1989年第5期426-431,共6页陈畅生 熊传铭 
三、硅中氧的热沉淀理论硅中氧的热沉淀行为实质上是固溶体中固态-固态相变的一种形式,它可用固体内一个新固相的成核和生长特性来描述。(一)固溶体内的成核与核的生长固溶体内一个新固相的成核有二种不同的形式:a.均匀成核,它在溶质原...
关键词：硅 氧 热沉淀 沉淀 
硅中氧的热沉淀(上)被引量：1
《稀有金属》1989年第4期349-357,共9页陈畅生 熊传铭 
本文综述近年来国内外在硅单晶中氧杂质的热沉淀行为方面的研究工作。着重介绍了在不同的热处理条件下,氧在硅单晶中产生的各种热沉淀现象和性质,以及解释这些热行为的氧沉淀理论。最后讨论了硅中氧的各种热沉淀对硅材料及器件性能的影...
关键词：硅 氧 沉淀 硅单晶 热处理 
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