硅中氧的结构组态及热扩散行为  

Configuration and Thermal Diffusion of Oxygen in Silicon

作　　者：陈畅生[1] 曾繁清[1] 熊传铭[1] 沈学础[2] 

机构地区：[1]武汉大学物理系测试中心,武汉430072 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放实验室,上海200083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第8期469-476,共8页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院上海技术物理所红外物理实验室开放基金;武汉大学测试基金

摘　　要：利用变温FTIR测量和变温Hall效应测量方法,探讨了在室温(RT)至475℃温度范围内,硅中9μm峰的中心位置及其红外吸收系数随温度变化的规律.实验证实了氧在硅单晶中存在二种不同的组态:在RT—325℃范围内为Si_2O组态,其束缚能为E_b～0.8—1.0eV;在325—475℃范围内,Si_2O组态和准自由间隙氧原子组态同时并存,准自由氧原子扩散所须克服硅晶格的势垒为E_L～1.5—1.6eV.由此很好地解释了硅中氧的热扩散行为.The central position and the absorption coefficient of 9μm band of Si samples are studiedih the temperature range from RT to 475℃ by FTIR spectrometry and Hall coefficient tech-niques.Experimental results show that there exist two kinds of oxygen configuration in sili-con: In the temperature range fran RT to 325℃, the oxygen atoms are kept as bonded Si_2Oconfiguration with a binding energy of E_b～0.8-1.0 eV;In the temperature range from 325to 475℃, the bonded Si_2O configuration and the quasi free interstitial oxygen configuration coe-xist.The lattice barrier E_L is～1.5-1.6 eV.

关 键 词：硅中氧 结构 热扩散 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]