龙理

作品数：5被引量：26H指数：2
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供职机构：武汉大学物理科学与技术学院物理系更多>>
发文主题：光敏器件光电探测器注入光敏器件光敏三极管SI单晶更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：湖北省科委基金国家自然科学基金更多>>
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注入光敏器件是一种新型的光电探测器被引量：7
《固体电子学研究与进展》1995年第4期356-364,共9页何民才 黄启俊 龙理 陈畅生 
注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良...
关键词：光电探测器 注入光敏器件 光敏器件 
注入光敏三极管的基本特性和分析被引量：5
《Journal of Semiconductors》1994年第9期631-638,共8页何民才 黄启俊 陈炳若 龙理 陈畅生 戴锋 池桂梅 
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．
关键词：光敏三极管 注入 光敏器件 特性 
p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第1期43-47,共5页陈畅生 曾繁清 曾瑞 陈炳若 龙理 何民才 张锦心 李立本 
国家教委年轻教师基金
本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和...
关键词：单晶制备 含氮CZ-Si 退火 
内调制光敏管物理特性的进一步研究
《武汉大学学报（自然科学版）》1992年第2期55-60,共6页何民才 龙理 黄启俊 陈炳若 陈畅生 
国家自然科学基金; 机电部电科院资助课题
本文详细地分析了一种新型光电探测器——内调制光敏管的物理特性,考虑了表面态和通道空穴准费米势分布的影响。导出了通道内空穴浓度和空穴准费米势沿通道的分布,和耦合系数与栅压的关系,它们与实验结果符台得较好。
关键词：光电探测器 光敏器件 内调制光敏管 
间接耦合光电探测结构的光致负阻特性被引量：17
《Journal of Semiconductors》1991年第10期637-640,共4页何民才 钟哲 陈炳若 黄启俊 陈畅生 龙理 杨恢东 蔡本兰 
湖北省科委基金
本文报道了间接耦合光电探测结构所产生的光致负阻现象及初步实验结果.
关键词：光电探测结构 光致负阻 间接耦合 
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