p型含氮CZ—Si单晶的退火性质  

Annealing Properties of p-Type CZ-Si Crystal Containing Nitrogen

作　　者：陈畅生[1] 曾繁清 曾瑞 陈炳若[1] 龙理[1] 何民才[1] 张锦心[2] 李立本[2] 

机构地区：[1]武汉大学物理系,武汉430072 [2]浙江大学半导体材料研究所,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》1993年第1期43-47,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家教委年轻教师基金

摘　　要：本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。The annealing properties of p-type CZ-Si crystal containing nitrogen under various heattreatments are reported.Experiments show that new kinds of donor states are generated whenthe crystal is annealed at the temperatures of 400℃ and 1100℃. The N-O donors, which is generatedat 400℃ annealing and annihilated at high temperature (T>500℃), are related tothe generation and the growing of N-O complexes. The new donors generated at 1100℃ annealingare related to the nitrogen precipitation.

关 键 词：单晶制备 含氮CZ-Si 退火 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]