间接耦合光电探测结构的光致负阻特性  

Characteristics of Photonegative Resistance in Indirect Coupling Photodetecting Structure

作　　者：何民才[1] 钟哲[1] 陈炳若[1] 黄启俊[1] 陈畅生[1] 龙理[1] 杨恢东 蔡本兰 

机构地区：[1]武汉大学物理系,430072

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第10期637-640,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：湖北省科委基金

摘　　要：本文报道了间接耦合光电探测结构所产生的光致负阻现象及初步实验结果.In this paper, the negative resistance exeted by light in an indirect coupling photodetec-tor and some of experimental results are reported.

关 键 词：光电探测结构 光致负阻 间接耦合 

分 类 号：TN382[电子电信—物理电子学]