注入光敏器件是一种新型的光电探测器  

Injection Photosensor-A New Photodetector

作　　者：何民才[1] 黄启俊[1] 龙理[1] 陈畅生[1] 

机构地区：[1]武汉大学物理系

出　　处：《固体电子学研究与进展》1995年第4期356-364,共9页Research & Progress of SSE

摘　　要：注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。The theory of injection photosensor is based on the photovoltaic expression of pn junction. The theoretical analyses and experiments indicate that not only extracting minority carrier injection current flowing through illuminated poencircuited pn junction is entirely possible but also injection photosensor is a photodetector with excellent performance and different from conventional photosensors.

关 键 词：光电探测器 注入光敏器件 光敏器件 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]