铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法  

作　　者：杨碧梧 

机构地区：[1]济南半导体研究所

出　　处：《半导体技术》1995年第3期18-21,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ＿２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。

关 键 词：金属硅化物 硅接触 磁控溅射 肖特基势垒 

分 类 号：TN305.92[电子电信—物理电子学]