InGaAsP／InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹  

作　　者：丁国庆[1] 孙文华[1] 魏铭鉴[1] 崔光杰[1] 

机构地区：[1]武汉电信器件公司,武汉工业大学,原武汉邮科院器件所

出　　处：《半导体技术》1995年第5期61-63,66,共4页Semiconductor Technology

基　　金：湖北省自然科学基金

摘　　要：讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜厚度的精确性。研究了影响干涉指纹的因素，为正确识辨材料结构和改进生长工艺提供方便。

关 键 词：异质外延材料 摇摆曲线 干涉指纹 化合物半导体 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]