丁国庆

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供职机构：武汉工业大学更多>>
发文主题：摇摆曲线INGAASP/INPX射线衍射化合物半导体MOCVD更多>>
发文领域：理学电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《分析测试学报》《光通信研究》更多>>
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InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
《分析测试学报》1997年第3期1-5,共5页王典芬 丁国庆 魏铭鉴 孙文华 
湖北省自然科学基金
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实...
关键词：半导体表面化学 XPS MOCVD 外延晶片 外延膜材料 
InGaAsP／InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹
《半导体技术》1995年第5期61-63,66,共4页丁国庆 孙文华 魏铭鉴 崔光杰 
湖北省自然科学基金
讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜厚度的精确性。研究了影响干涉指纹的因素，为正确识辨材料结构和改进生长工艺提供方便。
关键词：异质外延材料 摇摆曲线 干涉指纹 化合物半导体 
InGaAsP／InP异质结构材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹研究
《光通信研究》1995年第2期30-34,共5页丁国庆 魏铭鉴 孙文华 崔光杰 
湖北省自然科学基金
双晶衍射摇摆曲线的全面分析需用计算机模拟高木方程才能得到，其信息广但不直观。本文讨论了ＭＯＣＶＤ外延片Ｘ射线衍射中的干涉指纹，指出了用干涉指纹测试薄膜厚度的精确性，讨论了干涉指纹出现的一些特征，使能直观地得到一些外延...
关键词：摇摆曲线 干涉指纹 化合物半导体 X射线衍射 
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