金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系  

Temperature Dependence of Deep-Level Photoluminescence in GaAs Epilayers Grown on Si by Metal-OrganicChemical Vapour Deposition

作　　者：赵家龙[1] 高瑛[1] 刘学彦[1] 苏锡安[1] 梁家昌[1] 高鸿楷[1] 龚平[1] 王海滨[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所,中国民用航空学院,中国科学院西安光机所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第8期581-586,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室资助

摘　　要：本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．Abstract The deep-level photoluminescence spectra of GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) were measured at different temperatures. The temperature dependence of 1. 13 and 1. 04eV photoluminescence (PL) bands on the PL intensity,Peak energy,and half width is studied systematically, and their activation energies, Huang and Rhys factors, vibrational phonon energies and Frank-Condon shifts are obtained. The origins of the PL Bands are discussed.

关 键 词：砷化镓 硅 外延层 MOCVD 深能级发光 温度 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.12