GaAs表面的室温光致氮化  

Photon-Induced Nitridation of GaAs Surface at Room Temperature

作　　者：徐前江 丁训民[1] 侯晓远[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,复旦大学李政道物理学综合实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第9期721-724,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金;李政道实验室正大基金

摘　　要：在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下，到达ＧａＡｓ表面的Ｎ２会离解并和Ｇａ、Ａｓ原子成键，Ｘ射线光电子能谱测量结果证实了这一设想．Abstract Stimulated by the ultra-violet light produced during N2 glow discharging, the nitrogen molecules arriving at the GaAs surface will dissociate there and saturate the Ga and As dangling bonds, as is confirmed by the results of X-ray photoelectron spectroscopicmeasurements.

关 键 词：砷化镓 半导体表面 光致氮化 室温 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理] TN304.23[理学—物理]