SiO_2全封闭的硅量子线列阵  

Silicon Quantum Wire Array Embedded in Silicon Dioxide

作　　者：施毅[1] 刘建林[1] 汪峰[1] 张荣[1] 韩平[1] 余是东 张学渊[1] 顾书林[1] 胡立群[1] 茅保华[1] 郑有[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京电子器件研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1995年第10期798-800,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"863"高技术;攀登计划;国家自然科学基金

摘　　要：采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸．Abstract Silicon quantum wire array embedded in thermally grown silicon dioxide has been fabricated successfully by using reactive ion etching,anisotroplc wet chemical etching,thermal oxidation and very low pressure CVD technique.Scanning electron microscope shows well the silicon quantun wires of high quality with the width down to 20nm.It is found experimentally that the dimensions of the silicon quantum wire can be precisely controlled by selecting the temperature of the thermal oxidation process.

关 键 词：二氧化硅 硅 量子线 化合物半导体 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]