郑有

作品数：15被引量：20H指数：3
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发文主题：GAN硅氮化镓碳化硅MOCVD更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体光电》《高技术通讯》《功能材料》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家攀登计划更多>>
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蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长被引量：6
《功能材料》2004年第2期192-194,共3页孙澜 陈平 韩平 郑有 史君 朱嘉 朱顺明 顾书林 张荣 
国家重点基础研究专项资助项目(G20000683);国家自然科学基金资助项目(60136020)
　采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H SiC单晶薄膜。其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定。俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H ...
关键词：化学气相淀积 蓝宝石 6H-SIC 单晶薄膜 低温生长 碳化硅 
Si基GaN的微结构表征被引量：2
《光散射学报》2003年第4期264-267,共4页江若琏 陈鹏 赵作明 沈波 张荣 郑有 
国家自然科学基金资助课题(60276031;60136020);国家重点基础研究规划项目(G20000683)
采用快速辐射加热/低压-金属有机化学气相淀积(RTP/LP-MOCVD)方法分别以AlN和阳极氧化铝为缓冲层材料在Si衬底上外延生长GaN薄膜,通过X射线衍射谱(XRD)、光荧光谱(PL)、拉曼散射谱(RamanScattering)等手段对它们的微结构进行了表征和分...
关键词：硅基 氮化镓 结构表征 缓冲层 X射线衍射谱 荧光光谱 半导体材料 
用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究
《功能材料》1999年第1期31-32,共2页陆阳 施毅 刘建林 汪峰 顾书林 朱顺民 郑有 
以SiH4为生长气源，利用VLS（气相一液相一固相）互反应生长机制，在RT－CVD生长设备上通过向（111）硅衬底表面引入Au，生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面的线状晶体。对生长出的线状晶体作了扫描电镜观察，并分析讨...
关键词：VLS生长机制 金硅合金 线状硅晶 真空微电子技术 
MOCVD生长GaN的两种反应机制被引量：2
《半导体光电》1998年第6期366-369,共4页陈鹏 沈波 杨凯 陈浩 赵卫强 陈志忠 郑有 
国家863计划
用ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ的过程中，由于ＮＨ３与ＴＭＧ化学性质的巨大差异，以及通常１０００℃以上的生长温度，使得其中反应过程比较复杂，且多种反应并存。文章首先对这样一个多元体系运用原子系数矩阵，计算出反应体系中存在的独立...
关键词：氮化镓 独立反应方程 热力学平衡 并入率 
InGaN/AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质被引量：1
《半导体光电》1998年第4期256-259,共4页陈志忠 沈波 杨凯 施洪涛 陈鹏 郑有 李熹霖 
国家"863"新材料主题资助
研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质。实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发...
关键词：蓝发光二极管 双异质结构 电致发光 LED 
MOCVD 两步生长法制备 GaN 量子点被引量：3
《高技术通讯》1998年第6期5-8,共4页陈鹏 沈波 王牧 周玉刚 陈志忠 臧岚 刘小勇 黄振春 郑有 闵乃本 杭寅 
863计划资助项目
报道了用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。采用了５００℃低温沉积和１０５０℃高温退火的两步制备法制备出密度为５×１０８ｃｍ－２～６×１０９ｃｍ－２、直径约４０ｎｍ的ＧａＮ量...
关键词：氮化镓 MOCVD 量子点 中间亚稳态相 
SiGe外延层中硼注入和退火
《半导体光电》1997年第5期343-345,共3页江若琏 刘卫平 江宁 胡立群 朱顺明 郑有 
国家863计划
对采用快速加热、超低压－化学汽相淀积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）技术生长的Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２／Ｓｉ应变外延层进行硼注入，注入能量为４０ｋｅＶ，注入剂量为２．５×１０１４ｃｍ－２。然后，进行不同时间、不同温度的快热退火...
关键词：半导体材料 异质结 薄膜技术 掺杂技术 
GaN光导型紫外探测器被引量：1
《高技术通讯》1997年第9期26-28,共3页杨凯 张荣 臧岚 沈波 陈志忠 陈鹏 郑有 黄振春 
国家教委跨世纪人才专项基金;国家自然科学基金
研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H－SiC衬底上的GaN光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量，获得了GaN探测器在波长250nm-360nm范围近于平坦的光电流响应，并且观察到在365nm（～3．4eV）带边附近陡峭的截止边...
关键词：紫外探测器 氮化镓 光导型 MOCVD 
可调节势垒高度的Al／Si_（1—x）Gex肖特基接触
《Journal of Semiconductors》1996年第7期540-544,共5页江若琏 李健 周晓春 刘建林 郑有 
国家"八六三"高技术资助
本文首次报道了Ａｌ／ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ肖特基（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接触的制备与电学性质．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变外延层采用快速加热、超低压化学气相淀积方法生长．实验表明，改变Ｇｅ组分ｘ的大小可以调节肖特基势垒高度．...
关键词：肖特基势垒 Al/SiGe 肖特基结 样品制备 
采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
《固体电子学研究与进展》1996年第3期201-205,共5页陆阳 施毅 刘建林 汪峰 张荣 顾书林 郑有 茅保华 谢中华 
国家攀登计划半导体超晶格项目;国家高技术"863"计划项目;国家自然科学基金
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧...
关键词：硅量子线 选择腐蚀 热氧化 锗硅异质外延 
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