黄振春

作品数：4被引量：8H指数：2
导出分析报告
供职机构：南京大学更多>>
发文主题：GAN氮化镓6H-SIC光电流紫外探测器更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
MOCVD 两步生长法制备 GaN 量子点被引量：3
《高技术通讯》1998年第6期5-8,共4页陈鹏 沈波 王牧 周玉刚 陈志忠 臧岚 刘小勇 黄振春 郑有 闵乃本 杭寅 
863计划资助项目
报道了用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。采用了５００℃低温沉积和１０５０℃高温退火的两步制备法制备出密度为５×１０８ｃｍ－２～６×１０９ｃｍ－２、直径约４０ｎｍ的ＧａＮ量...
关键词：氮化镓 MOCVD 量子点 中间亚稳态相 
GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》1998年第3期197-201,共5页臧岚 杨凯 张荣 沈波 陈志忠 陈鹏 周玉刚 郑有炓 黄振春 
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且...
关键词：氮化镓 紫外探测器 光电流性质 
α-Al_(2)O_(3)衬底上生长的GaN膜的光学性质
《高技术通讯》1996年第10期29-31,共3页杨凯 张荣 秦林洪 沈波 施洪涛 郑有炓 黄振春 Chen J C 
国家教委跨世纪人才专项基金;国家自然科学基金资助项目
采用金属有机化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜...
关键词：α-Al_(2)O_(3)衬底 GAN薄膜 金属有机化学气相淀积 单晶 光学性质 
导电聚合物P3MT的综合光谱研究
《中国科学（A辑）》1990年第6期600-606,共7页袁仁宽 黄振春 郑有炓 沈学础 唐文国 D.Peramurage M.Tomkiewicz D.S.Ginley 
国家自然科学基金
本文通过电调制反射谱(ER)、光调制反射谱(PR)、荧光光谱(PL)以及吸收光谱首次对导电聚合物聚三甲基噻吩(P3MT)进行综合光谱测量,并根据准一维导电体系的元激发态理论模型对实验结果作了分析,研究结果表明,导电聚合物P3MT的禁带宽度约为...
关键词：导电聚合物 光谱 聚三甲基噻吩 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部