GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究  

作　　者：臧岚[1] 杨凯[1] 张荣[1] 沈波[1] 陈志忠[1] 陈鹏[1] 周玉刚[1] 郑有炓[1] 黄振春[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第3期197-201,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，我们获得了ＧａＮ探测器的响应时间及其与偏压的关系．

关 键 词：氮化镓 紫外探测器 光电流性质 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN23