赵作明

作品数：5被引量：6H指数：2
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：响应度SI基硅衬底欧姆接触微结构表征更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《功能材料与器件学报》《光散射学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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Si基GaN的微结构表征被引量：2
《光散射学报》2003年第4期264-267,共4页江若琏 陈鹏 赵作明 沈波 张荣 郑有 
国家自然科学基金资助课题(60276031;60136020);国家重点基础研究规划项目(G20000683)
采用快速辐射加热/低压-金属有机化学气相淀积(RTP/LP-MOCVD)方法分别以AlN和阳极氧化铝为缓冲层材料在Si衬底上外延生长GaN薄膜,通过X射线衍射谱(XRD)、光荧光谱(PL)、拉曼散射谱(RamanScattering)等手段对它们的微结构进行了表征和分...
关键词：硅基 氮化镓 结构表征 缓冲层 X射线衍射谱 荧光光谱 半导体材料 
阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长被引量：1
《高技术通讯》2002年第4期52-54,共3页陈鹏 江若琏 王军转 赵作明 梅永丰 沈波 张荣 吴兴龙 顾书林 郑有炓 
国家基础研究计划 (G2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金 ( 6 99870 0 1;6 9976 0 14 ;6 980 6 0 0 6 )资助项目
尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料 -阳极氧化铝。在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜 ,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火 ,然后进行GaN外延生长。对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析 ,并将得到的GaN材料制备成光导型...
关键词：SI基 GaN 阳极氧化铝 缓冲层 紫外光电探测器 硅衬底 氮化钙 晶体生长 半导体材料 
Si基GaN紫外光探测器被引量：1
《高技术通讯》2000年第11期16-18,共3页席冬娟 江若琏 陈鹏 赵作明 罗志云 沈波 张荣 郑有炓 
863计划;国家自然科学基金!(6 99870 0 1;6 96 36 0 10 ;6 980 6 0 0 6 )资助项目
报道了以Si( 111)为衬底的GaN光导型紫外探测器的制备及其光电流性质。探测器的光谱响应表明 ,这种GaN探测器在紫外波段 2 50～ 360nm有近于平坦的光电流响应 ,363nm附近有陡峭的截止边。在 357nm波长处 ,测得 5V偏压下的响应度高达 6.9...
关键词：紫外光导探测器 GAN外延层 响应度 SI基 
Si基GaN上的欧姆接触被引量：2
《功能材料与器件学报》2000年第4期425-427,共3页赵作明 江若琏 陈鹏 席冬娟 沈波 郑有炓 
国家自然科学基金!资助项目 ( 699870 0 1;696360 10 ;6980 60 0 6)
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取得最好的欧姆接触率 7.5× 1 0 3Ω·cm2 ,而Ti Al Pt Au GaN...
关键词：欧姆接触 硅基氮化镓 合金化 退火 热稳定性 
光导型GaN/Si探测器的研制被引量：1
《功能材料与器件学报》2000年第3期256-258,共3页江若琏 席冬娟 赵作明 陈鹏 沈波 张荣 郑有炓 
863计划;国家自然科学基金资助项目!(69987001;69636010;69806006)
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250－360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度...
关键词：响应度 光导型GaN/Si探测器 研制 MOCVD 
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