采用锗硅异质外延方法制备硅量子线  

Fabrication of Silicon Quantum Wires Using SiGe Heteroepitaxy

作　　者：陆阳[1] 施毅[1] 刘建林[1] 汪峰[1] 张荣[1] 顾书林[1] 郑有[1] 茅保华[1] 谢中华[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京电子器件研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1996年第3期201-205,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家攀登计划半导体超晶格项目;国家高技术"863"计划项目;国家自然科学基金

摘　　要：报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧氧化过程，成功实现了高质量Ｓｉ／ＳｉＯ２异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究，并讨论了硅线的热氧化性质。Fabricating silicon quantum wires(SQWs)based on SiGe heteroepitaxy is presented.On the St/SiGe/Si heterostructure grown.by using very low pressure chemical vapor deposition,trenchs are formed by photoetching and reactive ion etching.Then,selective chemical etching and subsequent thermal oxidation are carried out to generate the SQWs having St/SiO2 heterointerface. Scanning electron microscope is used to investigate the formation of the SQWs,and the thermal oxidation characteristic is discussed.

关 键 词：硅量子线 选择腐蚀 热氧化 锗硅异质外延 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学] TN305.5