深能级及其在发光研究中的应用  

作　　者：高瑛[1] 赵家龙[1] 刘学彦[1] 苏锡安[1] 粱家昌 胡恺生[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春物理研究所,中国民航学院,电子工业部电子材料研究所

出　　处：《半导体杂志》1995年第4期12-20,共9页

摘　　要：本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果．其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄膜的初始载流子源以及用ＭＯＣＶＤ法生长Ⅲ－Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析，它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究，在不同的领域中所取得的进展。

关 键 词：深能级 场致发光 薄膜材料 

分 类 号：TN383.101[电子电信—物理电子学]