胡恺生

作品数：12被引量：8H指数：1
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供职机构：天津电子材料研究所更多>>
发文主题：损耗掺铒光纤深能级场效应晶体管更多>>
发文领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《光通信技术》《固体电子学研究与进展》《光纤与电缆及其应用技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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砷化镓衬底与MESFET中深能级研究
《固体电子学研究与进展》2001年第2期229-233,共5页郭小兵 周智慧 胡恺生 张绵 
用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 。
关键词：砷化镓 衬底 金属-肖特基势垒 场效应晶体管 深能级 
非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱被引量：2
《光谱学与光谱分析》1999年第1期22-24,共3页杨瑞霞 胡恺生 周智慧 郭小兵 
研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９...
关键词：LECSIGaAs 光电流谱 场效应晶体管 砷化镓 
GaN单晶薄膜的湿法化学刻蚀研究被引量：1
《南昌大学学报（理科版）》1997年第3期259-262,共4页姚冬敏 胡恺生 江风益 范广涵 
ＭＯＣＶＤ用高压汞灯对ｎ－ＧａＮ处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究，这种外延层是在Ａ１２Ｏ３衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的。结果表明：在紫外光照下，ｎ－ＧａＮ层在２５％的ＫＯＨ水溶液中腐蚀较有效。这种腐蚀很可能是通过紫外...
关键词：UV 刻蚀 氧化镓 单晶 薄膜 湿法 
深能级及其在发光研究中的应用
《半导体杂志》1995年第4期12-20,共9页高瑛 赵家龙 刘学彦 苏锡安 粱家昌 胡恺生 
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果．其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄...
关键词：深能级 场致发光 薄膜材料 
保偏光纤应力棒OH根含量的测定
《光纤与电缆及其应用技术》1993年第5期13-15,共3页胡恺生 林亦珍 李光平 阎萍 
本文用红外吸收法测定了熊猫光纤掺氧化硼应力棒的OH根含量,对OH根基波与(?)波吸收差别进行了理论分析,进一步说明测出的OH根含量数据的可靠性。
关键词：氢氧根 红外吸收 保偏光纤 测量 
紫外辐照和温度对掺铒(Er^(3+))单模光纤特性的影响
《光纤与电缆及其应用技术》1992年第2期17-21,共5页胡恺生 李宗祥 宁鼎 
本文介绍了紫外(UV)辐照和温度对掺饵单漠光纤特性影响的研究结果,揭示了这种光纤几个铒离子特征吸收峰在UV辐照及温度影响下有较大幅度的增大,提供了用MCVD法及液相掺杂工艺制备的掺铒单模光纤性能的改善方法。
关键词：紫外辐射 温度 特性 
纯绿LED的辐射机理和深能级研究
《发光学报》1992年第4期296-303,共8页高瑛 赵家龙 苏锡安 刘学彦 胡恺生 丁祖昌 毋必先 华为民 
国家自然科学基金;中国科学院长春物理所激发态开放实验室基金
本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光...
关键词：发光器件 LED 绿色 辐射机制 能级 
掺Er^(3+)光纤的γ射线辐射特性
《物理学报》1992年第6期890-897,共8页胡恺生 李宗祥 宁鼎 李浩 周建平 刘为民 
本文研究掺Er^(3+)光纤的γ射线辐射特性,发现在800到1600nm之间损耗都有显著的增加,有的增加800倍之多。光纤的γ射线辐照损耗特性具有β射线辐照类似的规律性。用γ射线的康普顿效应半定量地解释了这种类似性。对γ射线辐照损耗进行...
关键词：掺铒 光纤 Γ射线 辐射 
多模光纤损耗突变(台阶)的研究被引量：1
《光纤与电缆及其应用技术》1991年第3期20-23,共4页胡恺生 黄秀钦 周智惠 
本文用OTDR、Vikers显微观察仪和腐蚀等手段观察了损耗台阶附近的光纤断面、侧面和光纤长度方向的情况,力图找出台阶出现的原因。分析表明,台阶的形成可能是拉丝过程中光纤抖动,造成光纤局部应力(微弯)引起的。
关键词：多模光纤 损耗 突变 光纤传输线 
氢引起光纤损耗增加的实验估算被引量：1
《光通信技术》1991年第4期213-217,共5页宁鼎 胡恺生 
通过对MCVD多模光纤进行高温通氢实验和对样品在空气中恢复情况的测量,提出了一种估算氢分子与氢氧根对1.3μm、1.55μm处影响损耗增加的方法。用导出公式对光纤中由氢引起的损耗增加进行了预测。
关键词：多模光纤 光纤 损耗 氢气 高温 
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