GaN单晶薄膜的湿法化学刻蚀研究  

STUDY ON WET CHEMICAL ETCHING OF GaN SINGLECRYSTAL FILM

作　　者：姚冬敏[1] 胡恺生[1] 江风益[1] 范广涵[1] 

机构地区：[1]南昌大学材料科学研究所

出　　处：《南昌大学学报（理科版）》1997年第3期259-262,共4页Journal of Nanchang University(Natural Science)

摘　　要：ＭＯＣＶＤ用高压汞灯对ｎ－ＧａＮ处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究，这种外延层是在Ａ１２Ｏ３衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的。结果表明：在紫外光照下，ｎ－ＧａＮ层在２５％的ＫＯＨ水溶液中腐蚀较有效。这种腐蚀很可能是通过紫外光增强氧化和还原反应而产生的。A wet chemical etching method of n-GaN epitaxial layer grown on a sapphire substrate by MOCVD is investigated using UV of high pressure mercury lamp.It is shown that n-GaN layer can be etched in 25% KOH dilute.The etching may take place through the enhanced oxidation and reduction reactions by UV.

关 键 词：UV 刻蚀 氧化镓 单晶 薄膜 湿法 

分 类 号：O786[理学—晶体学] TN304.23[电子电信—物理电子学]