反应离子深刻蚀硅的研究  

The Study On Deep Reactive Ion Etching of Silicon

作　　者：姜建东[1] 孙承龙 王渭源 王德宁 

机构地区：[1]上海市复旦大学电子工程系集成电路设计研究室,传感技术国家重点实验室200433 [2]中科院上海冶金所传感技术研究室,上海200050

出　　处：《传感技术学报》1995年第3期13-17,共5页Chinese Journal of Sensors and Actuators

基　　金：国家"八五科技攻关"项目资助

摘　　要：利用ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５，ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２，ＳＦ６／ＣＣＬ２Ｆ２／Ｏ２等氟氯族混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀系统上，进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Ｃｒ膜的掩护下，ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５刻蚀硅的速度，但刻蚀的方向性差；ＳＦ６／ＣＣ１２Ｆ２和ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２都可获得各向异性的刻蚀工艺，刻蚀速率在２００－５００ｎｍ／ｍｉｎ之间。Deep reactive ion etching techniques for silicon micromachining, with SF6/C2ClF5, SF6/CCl2F2, SF6/CCl2F2/O2 gas mixture on a parralell plate etcher, are report-ed in this paper. While Cr is used as the mask of silicon, SF6/C2ClF5 etches siliconisotropically; but the etch rates are rather high (>0. 5 μm/min). Also using Cr film asthe mask, SF6/CCl2F2 and SF6/CCl2F2/O2 can etch silicon anisotropically, and the etchrates are related with radio frequency power densities, chamber pressures. Then theanisotropic mechanism is discussed here. Using the silicon anisotropic etching tech-nique, we fabricate silicon micro-gears with depth of 24. 7 μm.

关 键 词：反应离子刻蚀 硅 刻蚀 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]