n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究  

作　　者：李志国[1] 赵瑞东[1] 李学信[1] 郭伟玲[1] 程尧海[1] 张斌[2] 

机构地区：[1]北京工业大学,100022 [2]电子部55所,南京210016

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》1995年第3期23-29,共7页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

摘　　要：为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。

关 键 词：化合物半导体 半导体器件 肖特基势垒接触 失效 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN306