李学信

作品数：13被引量：15H指数：3
导出分析报告
供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：半导体器件欧姆接触AU金属化砷化镓更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体杂志》《微电子学》《半导体技术》《北京工业大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
双极晶体管h_(FE)低温失效分析及使用可靠性被引量：1
《半导体技术》1997年第4期50-52,共3页李志国 程尧海 孙英华 郭伟玲 李学信 李志勇 戴慈庄 
论述了影响双极晶体管电流增益ｈＦＥ低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试计算出了ｈＦＥ的低温下降值，并对实测值与计算值的差异进行了分析。最后指出了改进ｈＦＥ温度特性的具体途径。
关键词：电流增益 低温失效 可靠性 双极晶体管 
利用回流效应的新型金属化系统研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第12期914-918,共5页李志国 张炜 孙英华 程尧海 郭伟玲 吉元 李学信 
国家自然科学基金
本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比，结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性，ＳＥＭ分析对此也提供了有...
关键词：金属化系统 回流效应 半导体器件 
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究被引量：3
《微电子学》1996年第4期226-229,共4页李志国 李静 孙英华 郭伟玲 吉元 程尧海 严永鑫 李学信 
对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效...
关键词：半导体器件 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 欧姆接触 
Al／TiN／Ti多层金属化在微波器件中的应用研究
《半导体技术》1996年第5期19-22,共4页孙英华 李志国 程尧海 郭伟玲 李学信 穆德成 
在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。ＡＥＳ分析表明原器件失...
关键词：欧姆接触 阻挡层 电徒动 微波器件 金属化 
双极晶体管h_（FE）低温失效分析及使用可靠性被引量：3
《北京工业大学学报》1996年第4期25-30,共6页李志国 程尧海 孙英华 郭伟玲 李学信 李志勇 戴慈壮 
论述了影响双极晶体管电流增益ｈ_（ＦＥ）低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试并计算出了ｈ_（ＦＥ）的低温下降值，对实测值与计算值的差异进行了分析。最后指出了改进ｈ_ＦＥ温度特性的具体途径。
关键词：电流增益 低温 失效 可靠性 双极晶体管 
n－GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究
《北京工业大学学报》1996年第2期40-47,共8页李志国 赵瑞东 程尧海 吉元 郭伟玲 孙英华 李学信 张斌 吕振中 
对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏（ＨＴＲＢ）、高压反偏（ＨＲＢ）、高温正向大电流（ＨＦＧＣ）、高温存贮（ＨＴＳ）４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，φｂ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅ...
关键词：砷化镓 肖特基势垒 接触退化 
双极型微波器件失效分析与改进被引量：2
《半导体技术》1996年第2期28-32,共5页孙英华 李志国 程尧海 吉元 张炜 李学信 穆德成 
针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理为发射区处Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，Ａｌ离子进入发射区。将新型...
关键词：微波器件 欧姆接触 TiN阻挡层 失效 
GaAs　MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
《Journal of Semiconductors》1996年第1期65-70,共6页李志国 赵瑞东 孙英华 吉元 程尧海 郭伟玲 王重 李学信 
本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６...
关键词：MESFET 砷化镓 肖特基势垒 退化 场效应晶体管 
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究
《半导体杂志》1995年第4期21-24,共4页李志国 李静 孙英华 吉元 程尧海 严永鑫 李学信 
本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触...
关键词：欧姆接触 失效机理 半导体器件 
n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究被引量：3
《电子产品可靠性与环境试验》1995年第3期23-29,共7页李志国 赵瑞东 李学信 郭伟玲 程尧海 张斌 
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)...
关键词：化合物半导体 半导体器件 肖特基势垒接触 失效 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部