Al／TiN／Ti多层金属化在微波器件中的应用研究  

作　　者：孙英华[1] 李志国[1] 程尧海[1] 郭伟玲[1] 李学信[1] 穆德成 

机构地区：[1]北京工业大学可靠性物理研究室,东方通用晶体管厂

出　　处：《半导体技术》1996年第5期19-22,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统．研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徙能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。ＡＥＳ分析表明原器件失效机理为Ａｌ、Ｓｉ互扩散，致使ＥＢ结退化．而采用ＴｉＮ阻挡层的器件发射区中未发现Ａｌ离子，ＴｉＮ有效阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，提高了界面稳定性。

关 键 词：欧姆接触 阻挡层 电徒动 微波器件 金属化 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学] TN305.93