Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究  

作　　者：李志国[1] 李静[1] 孙英华[1] 吉元[1] 程尧海[1] 严永鑫[1] 李学信[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系

出　　处：《半导体杂志》1995年第4期21-24,共4页

摘　　要：本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。

关 键 词：欧姆接触 失效机理 半导体器件 

分 类 号：TN305.93[电子电信—物理电子学]