双极型微波器件失效分析与改进  

作　　者：孙英华[1] 李志国[1] 程尧海[1] 吉元[1] 张炜[1] 李学信[1] 穆德成 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系,北京东方晶体管厂

出　　处：《半导体技术》1996年第2期28-32,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理为发射区处Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，Ａｌ离子进入发射区。将新型金属化系统Ａｌ／ＴＩＮ／Ｔｉ用于实际器件，ＴｉＮ有效地阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，其ＥＢ结特性明显改善，成品率和可靠性显著提高。

关 键 词：微波器件 欧姆接触 TiN阻挡层 失效 

分 类 号：TN385.05[电子电信—物理电子学]