利用回流效应的新型金属化系统研究  

Study of Novel Metallization System Using Backflow Effeet

作　　者：李志国[1] 张炜[1] 孙英华[1] 程尧海[1] 郭伟玲[1] 吉元[1] 李学信[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第12期914-918,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比，结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性，ＳＥＭ分析对此也提供了有力的证据．Abstract A novel multi-layered metallization structure using backflow is proposed, It can intentionally restrain the electromigration failure in contact region. Under kinds of dynamic stress including current, frequency and temperature ramp, the experimental data show an evident improvement for the novel structure over the common one. SEM micrographs provide powerful proof too.

关 键 词：金属化系统 回流效应 半导体器件 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]