多晶硅薄膜晶体管特性的研究  

The Investigation of Characteristics of Ploy-Silicon Thin Filin Transistor

作　　者：商陆民 汤金榜 周然[1] 杨辉勋[1] 

机构地区：[1]东南大学电子工程系,东南大学无线电工程系,胜利油田

出　　处：《东南大学学报（自然科学版）》1995年第1期120-122,共3页Journal of Southeast University：Natural Science Edition

摘　　要：多晶硅薄膜晶体管特性的研究商陆民，汤金榜（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）周然，杨辉勋（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（胜利油田，山东省东营市２５７０６１）用于大屏幕显示的液晶的驱动方式，可以分...This paper tested and diseussed the electric characteristics, carrier mobility and thresholdvoltage of the poly-silicon thin-film transistor.

关 键 词：多晶硅 薄膜 晶体管 

分 类 号：TN325.2[电子电信—物理电子学]