化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究  

Study on CVI Process of SiC

作　　者：刘文川[1] 魏永良[1] 纪锐[1] 孙守金[1] 刘敏[1] 王作明[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所

出　　处：《高技术通讯》1995年第4期36-40,共5页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划资助项目

摘　　要：对均热法、热梯度法和压差－温度梯度法三种化学气相渗ＳｉＣ工艺进行了研究，结果表明：三种方法制备周期依次缩短。均热法适合制备形状复杂的样品，提高沉积效率靠增大沉积炉和多放样品来实现，整个过程受气体自由扩散所控制；热梯度法适合制备形状简单、规则的薄壁试样，每炉只能做一个，过程主要受样品内外温度梯度所控制，用该法可以制备出成分连续变化的功能梯度材料；压差－温度梯度法适合制备板状、圆筒状厚壁样品，过程受样品两侧的温度差和气体压力差所控制。三种方法各有优缺点。根据需要可灵活运用。The fabrication processes of carbon fiber reinforced SiC composites by CVI methods includingisothermal, thermal-gradient and pressure-temperature gradient have been described in this paper.CVIprocesses induce highly controlled reactions between vapor-phase reactants within hermetic chambers.Inisothermal process and thermal-gradient process the CVD gases diffuse into the preform,while in pressure-temperature gradient process the CVD gases are forced into the preform by a pressure gradient.Theprocessing cycles were successively reduced.

关 键 词：化学气相渗 CVI 碳化硅 工艺 渗碳 

分 类 号：TG156.81[金属学及工艺—热处理]