铁电PLZT薄膜的钙钛矿型结构与性能的研究  

Perovskite Structure and Properties of Ferroelectric Thin Films

作　　者：黄龙波[1] 李佐宜[1] 卢德新[1] 林更琪 

机构地区：[1]华中理工大学固体电子学系

出　　处：《高技术通讯》1995年第5期44-48,共5页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划资助项目

摘　　要：计论了用射频磁控溅射沉积的ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜的结构和铁电性能。研究表明，在不加热的Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ衬底上沉积ＰＬＺＴ薄膜即钙钛矿型的高度取向薄膜，没有烧绿石相出现，同时具有很好的微观结构；增加薄膜的厚度导致ａ轴取向的增长；退火处理有助于ＰＬＺＴ薄膜的钙钛矿相的增长，并在薄膜中出现了蔷薇状共晶组织。这种ＰＬＺＴ薄膜的剩余极化强度、矫顽场强度分别为２２．９μ／ｃｍ２和６２．４ＫＶ／ｃｍ。Ferroelectric thin films of lanthanum-modified lead zirconate(PLZT)were successfully deposited onplatinum-coated silicon substrates by rf magnetron sputtering.The as-grow thin films have highly(210)-oriented perovskite structure.The effects of film thick ness and annealing on thin films structure have beendiscussed.The films(470)annealed at 650℃for 0.5h have a remament polarization of 22.9μC/cm2 anda coercive field of 62. 4KV/cm.

关 键 词：铁电薄膜 钙钛矿 磁控溅射 矿相 

分 类 号：TM221.03[一般工业技术—材料科学与工程]