PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用  

The Teclmology Control and Properties of PECVD SiON Filmsand Its Potential Applications

作　　者：祖继锋[1] 耿完桢 洪晶 余宽豪[1] 江志庚 李志彭 陈学良 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学应用物理系,中国科学院上海冶金研究所,辽宁师范大学物理系

出　　处：《光学学报》1995年第7期913-916,共4页Acta Optica Sinica

基　　金：国家科委863高科技项目;辽宁省科委博士基金

摘　　要：研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。The technology control, structure and properties of PECVD SiON films and thepotential applications of thih film waveguides in optical interconnections for VLSI arediscussed in this peper.

关 键 词：光互连 化学气相淀积 氮氧化硅 薄膜 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN47[理学—物理]