余宽豪

作品数:7被引量:12H指数:2
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供职机构:哈尔滨工业大学理学院物理系更多>>
发文主题:光互连氮氧化硅VLSIULSIPECVD更多>>
发文领域:电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊:《光学学报》《半导体技术》《电子学报》《半导体光电》更多>>
所获基金:博士科研启动基金国家高技术研究发展计划更多>>
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硅基光导波结构的特性研究
《光学学报》1998年第6期808-812,共5页祖继锋 马忠礼 余宽豪 陈学良 耿完桢 
辽宁省科委博士基金;国家科委863高科技项目
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮氧化硅(SiON)所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结果进一步分析,总结出有关结论并提出一些改进方法。
关键词:光波导 硅基底 氮氧化硅 集成光学 光电子集成 
光互连技术的研究现状及发展被引量:4
《电子学报》1997年第11期60-64,共5页祖继锋 陈兴文 余宽豪 陈学良 耿完桢 
本文首先总结了光学互连的主要实现途径,然后评述了光互连的研究现状与最新发展,通过对存在问题的分析,最后给出了有关的结论.
关键词:光互连 光波导 VLSI ULSI 
采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计
《半导体技术》1997年第3期33-36,共4页余宽豪 须国宗 
对早期开发的铝栅CMOS4.19MHz钟电路和近期研制的硅栅CMOS4.19MHz钟电路进行了详细分析比较。随着工艺技术的不断提高和设计改进,使得电路在降低功耗、减小面积方面更加完善,从而提高性能价格比。
关键词:低功耗 C^2MOS电路 石英钟 钟表电路 
多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究
《半导体技术》1996年第3期19-21,共3页余宽豪 
叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术(SST),通过对器件结构的比较,工艺特点的分析,进行了改善关键技术的探讨,并在我们现有基础条件下,开展了用SST研制晶体管的实验。
关键词:多晶硅 自对准 CVD RIE 
硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器被引量:3
《半导体光电》1995年第3期265-268,共4页余宽豪 刘毓成 陈学良 
文章描述硅双极高速工艺,和一种能与双极工艺相容的硅PIN探测器的结构及设计,从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机,其中硅PIN探测器的光电响应为0.43A/W,整机的响应度为4.4×103V...
关键词:光电子集成电路 双极晶体管 探测器  
PECVD SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用被引量:5
《光学学报》1995年第7期913-916,共4页祖继锋 耿完桢 洪晶 余宽豪 江志庚 李志彭 陈学良 
国家科委863高科技项目;辽宁省科委博士基金
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)氢氧化硅(SiON)薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路(VLSI)光互连中的潜在应用。
关键词:光互连 化学气相淀积 氮氧化硅 薄膜 
用于多路信号传输的集成复用技术
《半导体技术》1995年第2期40-42,共3页余宽豪 
通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析,认为选择单节的四路MUX和DMUX,结合通常为2~3微米双极高速工艺,比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的4:1MUX和1:4DMUX电路...
关键词:复用电路 解复用电路 SPICE模拟 高速工艺 
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