多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究  

作　　者：余宽豪[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所微电子学分部

出　　处：《半导体技术》1996年第3期19-21,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术（ＳＳＴ），通过对器件结构的比较，工艺特点的分析，进行了改善关键技术的探讨，并在我们现有基础条件下，开展了用ＳＳＴ研制晶体管的实验。

关 键 词：多晶硅 自对准 CVD RIE 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]