硅npn型平面超高频晶体管h_(FE)的温度特性  

作　　者：吴克林 张顺生 

机构地区：[1]安徽省马鞍山市晶体管厂

出　　处：《半导体技术》1989年第4期23-27,17,共6页Semiconductor Technology

摘　　要：本文根据“带尾效应”和异质结理论得到了硅npn型平面超高频晶体管的H_(FE)∞exp(-△E_g/kT).分析和测试表明“带尾效应”引起的发射区材料和基区材料的能隙(禁带)差上△E_g是影响该类晶体管温度特性的主要因素.但是实验得到的△E_g较用发射区表面浓度或用发射区平均浓度得到的△E_g都要小.本文认为这是因为exp(-△E_g/kT)中的△E_g应是“有效能隙势垒”,而“有效能隙势垒”不仅与发射区材料和基区材料的能隙差有关,而更重要的是与能隙的坡度有关.对所谓的“同质结”晶体管实际上就是与发射结附近的杂质浓度梯度有关.

关 键 词：硅 高频晶体管 HFE 温度特性 NPN型 

分 类 号：TN323.01[电子电信—物理电子学]