HgCdTe分子束外延薄膜的研制  

Fabrication of HgCdTe Epilayers by MBE

作　　者：陈世达[1] 林立[1] 何先忠 应明炯[1] 吴人齐[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所

出　　处：《激光与红外》1995年第1期37-39,共3页Laser & Infrared

摘　　要：本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。

关 键 词：分子束外延 HGCDTE 薄膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]