应明炯

作品数：4被引量：9H指数：1
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发文主题：红外探测器HGCDTE焦平面锑化铟湿法刻蚀更多>>
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InSb晶片湿法化学刻蚀研究被引量：8
《激光与红外》2008年第9期899-901,共3页韦书领 应明炯 
随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FP...
关键词：红外探测器 焦平面 湿法刻蚀 锑化铟 
低温光导型InSb红外探测器研究被引量：1
《激光与红外》2002年第1期51-53,共3页贾宝军 应明炯 郑甦丹 张健 
文中讨论了决定光导型探测器性能的主要因素。在理论分析的基础上 ,对低温单元光导InSb探测器的主要工艺参数进行分析和估算。
关键词：红外探测器 光导 低温型 锡化铟 
B^+注入HgCdTe快速热退火的研究
《物理学报》1998年第1期47-52,共6页刘家璐 张廷庆 冯建华 周冠山 应明炯 
借助二次离子质谱和俄歇电子能谱对Ｂ＋注入ＨｇＣｄＴｅ有无ＺｎＳ膜包封在快速热退火条件下表层的Ｈｇ损失进行了深入的分析．快速热退火温度为３００，３５０和４００℃，退火时间为１０ｓ．ＺｎＳ膜厚度为１６０ｎｍ．结果表明，３...
关键词：硼离子 离子注入 碲镉汞 工艺优化 快速热退火 
HgCdTe分子束外延薄膜的研制
《激光与红外》1995年第1期37-39,共3页陈世达 林立 何先忠 应明炯 吴人齐 
本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１...
关键词：分子束外延 HGCDTE 薄膜 
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