离子束刻蚀位相型Ronchi光栅研究  

Fabrication of Phase Ronchi Grating by ion Beam Etching

作　　者：傅绍军[1] 洪义麟[1] 陶晓明[1] 齐开国[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学技术大学物理系

出　　处：《量子电子学》1995年第2期146-149,共4页

摘　　要：本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作位相型Ｒｏｎｃｈｉ光栅的工艺技术，并对其衍射特性进行了讨论，同时给出实验结果。A phase Ronchi grating was fabricated by ultraviolet lithographing and ion beam etching. The experimental results of this grating with wavelength of 632.8 nm are given, and the diffraction characteristics of the Ronchi grating discllssed.

关 键 词：位相型 Ronchi光栅 离子束刻蚀 紫外光刻 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学] TN230.5