超高频晶体管多晶硅发射极新工艺  

作　　者：俞诚 王文源 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司分立器件事业部,无锡214061

出　　处：《微电子技术》1995年第1期34-37,共4页Microelectronic Technology

关 键 词：晶体管 超高频晶体管 多晶硅 发射极 

分 类 号：TN323.2[电子电信—物理电子学]