CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性  

Total Dose Irradiation Characteristics of CMOS/SIMOX Inverters

作　　者：竺士炀[1] 林成鲁[1] 李金华[1] 

机构地区：[1]中科院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,江苏石油化工学院功能材料实验室

出　　处：《微电子学与计算机》1995年第2期37-39,43,共4页Microelectronics & Computer

摘　　要：对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。Total dose lrradlatlon effects ofllnear gate CMOS/SIMOX inverters were measured by 60Co γ my undnr different bias conditions during irradiation.The affection of the radiation characteristics of PMOS ad NMOS to inverter function was compared. It shows that the total dOSe radiation tolerance of NMOS is inferior to mat of PMOS. It is NMOS who fail the device function chiefly.

关 键 词：CMOS SIMOX 倒相器 总剂量辐照 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]