单电子效应与单电子晶体管  

作　　者：夏建白[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体超晶洛国家重点实验室

出　　处：《物理》1995年第7期391-395,共5页Physics

摘　　要：由于半导体超微细加工技术的发展，在半径为几百ｎｍ的量子点结构上观察到了由单个电子地阻塞和隧穿引起的电流振荡，分别称为库仑阻塞、单电子隧穿和库仑振荡。与此效应有关的现象还有库仑台阶、旋转门效应。旋转门器件可利用作为电流标准测量，单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择，单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。

关 键 词：库仑阻塞 旋转门 单电子晶体管 单电子效应 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]