RF-PCVD沉积参数对TiN沉积速率的影响  

作　　者：谢雁[1] 李世直[1] 

机构地区：[1]青岛化工学院等离子体表面技术研究所,青岛266042

出　　处：《真空科学与技术》1995年第5期352-355,共4页Vacuum Science and Technology

摘　　要：用射频等离子体沉积TiN膜，对影响薄膜生长的因素作了研究。特别是H2，N2，TiCl4及射频功率、偏压对膜生长速率的影响进行了报导。

关 键 词：氮化钛膜 沉积速率 射频功率 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]