半导体器件  

出　　处：《电子科技文摘》2006年第9期29-29,共1页Sci.& Tech.Abstract

摘　　要：0622900电流拥抒效应对GaN基发光二极管可靠性的影响[刊,中]/艾伟伟//激光与红外．—2006,36(6)．—491- 494,503(G) 0622901 PLD在三态采样一保持开关功放中的应用研究[刊,中]/张丹红//电子科技．—2006,(6)．—59-61(D)分析了两态采样一保持策略开关功率放大器的优缺点,提出了一种利用可编程逻辑器件(简称PLD)进行磁力轴承三态采样一保持开关功率放大器设计的方法,并在可编程逻辑器件内部逻辑功能设计的基础上,给出了内部功能的时序仿真图。和传统设计方法相比,该设计具有可以明显减少所使用器件数目,简化线路,减小功率放大器体积,降低设计成本,提高设计效率以及提高功放系统的整体可靠性等优点。

关 键 词：半导体器件 电子设备 发光二极管 结型发光器件 可编程逻辑器件 双极器件 开关功率放大器 功放系统 时序仿真 紧致差分 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]