夏普蓝紫激光器室温连续振荡获成功  

出　　处：《光机电信息》2005年第8期30-30,共1页OME Information

摘　　要：夏普欧洲研发基地——英国夏普欧洲研究所使用名为分子束外延（MBE）法的结晶生长技术，试制了类GaN蓝紫色半导体激光器，成功地在室温下产生连续振荡。该所于2004年在全球首次成功利用MBE法结晶生长技术在室温下产生了脉冲振荡，此次成果仍为世界首创。与蓝紫色半导体激光器生产中常用的有机金属化学气相生长（MOCVD）法相比，

关 键 词：半导体激光器 振荡 室温 夏普 化学气相生长 生长技术 分子束外延 MBE法 有机金属 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TM711[电气工程—电力系统及自动化]