MBE法

作品数：22被引量：11H指数：2
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MBE法制备GaAs/AlGaAs纳米线的微观量子结构的应力应变分布研究
《复旦学报（自然科学版）》2018年第5期638-643,649,共7页谢景涛 车仁超 
国家自然科学基金(11727807;51725101;51672050;61790581);上海市材料基因组工程研究院(16DZ2260600)
研究了砷化镓/砷化铝镓(GaAs/AlGaAs)核壳结构纳米线中量子结构的微结构和应力应变分布.本文使用分子束外延法制备了GaAs/AlGaAs纳米线,并使用高分辨技术和原子重构对纳米线中的量子结构进行了分类,通过几何相位分析,我们发现纳米线径...
关键词：核-壳结构纳米线 量子结构 应力应变 几何相位分析 
MBE法制备VO_2薄膜及其中红外调制深度测量被引量：1
《发光学报》2018年第7期942-947,共6页刘志伟 路远 侯典心 邹崇文 
脉冲功率激光技术国家重点实验室主任基金(SKL2013ZR03)资助项目~~
为了给VO_2薄膜在定向红外对抗系统防护方面的应用提供理论依据,我们用透过率调制深度表征VO_2薄膜在中红外波段的相变特性。本实验利用分子束外延法(MBE)制备VO_2外延单晶薄膜,经XRD、AFM表征,发现其具有(020)择优取向、纯度较高,薄膜...
关键词：分子束外延 VO2薄膜 透过率调制深度 中红外激光防护 
MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能被引量：7
《无机材料学报》2012年第3期301-304,共4页郑志远 陈铁锌 曹亮 韩玉岩 徐法强 
国家自然科学基金(10975138,10775126)~~
在氧等离子体辅助的MBE系统中,以1 nm厚的Au薄膜为催化剂,基于气液固（VLS）机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si（111）衬底表面的生长.通过场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）可以观察到,ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上,直径为20~30 nm.X射...
关键词：ZNO 纳米线 分子束外延 VLS 
基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光谱测量被引量：3
《兰州理工大学学报》2007年第5期162-164,共3页齐学义 李晨晨 杨国来 蔡丽霞 
使用紫外-可见光分光光度计,研究用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生成在蓝宝石衬底上的GaN薄膜的反射光谱、透射光谱以及用分子束外延(MBE)方法生成在碳化硅衬底上GaN薄膜的反射光谱,结果表明,所测的GaN薄膜和体材料的光学吸收边出现在...
关键词：氮化镓薄膜 反射光谱 透射光谱 
夏普蓝紫激光器室温连续振荡获成功
《光机电信息》2005年第8期30-30,共1页
夏普欧洲研发基地——英国夏普欧洲研究所使用名为分子束外延（MBE）法的结晶生长技术，试制了类GaN蓝紫色半导体激光器，成功地在室温下产生连续振荡。该所于2004年在全球首次成功利用MBE法结晶生长技术在室温下产生了脉冲振荡，此次...
关键词：半导体激光器 振荡 室温 夏普 化学气相生长 生长技术 分子束外延 MBE法 有机金属 
采用MBE法夏普首次实现蓝紫色激光器
《光盘技术》2004年第1期26-26,共1页
关键词：夏普公司 MBE法 蓝紫色激光器 分子束外延 
高N_2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN(英文)
《发光学报》2001年第3期209-212,共4页秦志新 陈志忠 张国义 
Project Supported by the National Natural Science Foundation of China( 6 9876 0 0 2 )
在N2 气压为 2 6 7× 10 -2 Pa ,5 0 0℃的条件下 ,用MBE方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长了InN的外延层。生长期间 ,In流量以 3× 10 14 到 2 4× 10 14 atoms/cm2 ·s范围内变化。用X 射线衍射 (XRD)和反射高能电子衍射 (RHEED)法对InN...
关键词：RHEED X-射线倒易空间图形 GAAS(001) 砷化镓 LnN 氮化铟 薄膜生长 MBE法 高氮气气流 N2 
衬底取向偏离对MBE法生长Zn1—xMgxSe／GaAs（111）的影响
《电子材料快报》2000年第1期17-18,共2页晓晔 
关键词：MBE法 生长 砷化镓 ZNMGSE 
MBE法在GaAs{111}衬底上生长CdSe
《电子材料快报》1998年第11期16-17,共2页晓晔 
关键词：MBE法 砷化镓 衬底 CDSE 
MBE法生长SiC
《电子材料快报》1998年第11期17-18,共2页庶民 
关键词：MBE法 碳化硅 生长 
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