ZNMGSE

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相关领域:电子电信更多>>
相关作者:刘益春孔祥贵李炳辉申德振张吉英更多>>
相关机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
相关期刊:《Chinese Physics Letters》《电子材料快报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质
《固体电子学研究与进展》2002年第4期425-428,共4页吕有明 申德振 刘益春 范希武 张吉英 李炳辉 支壮志 孔祥贵 
中国科学院创新工程项目;"863"高技术研究项目;国家攀登计划项目;国家自然科学重大基金 (No698962 60 );百人计划项目;国家自然科学基金 (No699770 19)
通过光致发光 (PL)和拉曼 (Raman)光谱研究了分子束外延 (MBE)生长的 Zn Mg Se/ Zn Cd Se多量子阱的光学性质。在 80 K到 3 0 0 K温度范围内 ,观测到了 PL光谱中来自量子阱的自由激子发光 ,通过发光强度与温度的变化关系 ,计算了激子束...
关键词:多量子阱 光致发光 拉曼光谱 
Optical Properties of ZnCdSe/ZnMgSe Multiple Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
《Chinese Physics Letters》2002年第8期1152-1154,共3页吕有明 申德振  
衬底取向偏离对MBE法生长Zn1—xMgxSe/GaAs(111)的影响
《电子材料快报》2000年第1期17-18,共2页晓晔 
关键词:MBE法 生长 砷化镓 ZNMGSE 
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