衬底取向偏离对MBE法生长Zn1—xMgxSe／GaAs（111）的影响  

作　　者：晓晔 

出　　处：《电子材料快报》2000年第1期17-18,共2页

关 键 词：MBE法 生长 砷化镓 ZNMGSE 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]